مقاومت دیفرانسیلی منفی تحت دمای اتاق با استفاده از مولکول‌های آلی منفرد روی سطوح ‏سیلیکونی

توضیحات

دانلود فایل انگلیسی: Room Temperature Negative Differential Resistance

چکیده :

مقاومت دیفرانسیلی منفی تحت دمای اتاق (NDR) از طریق مولکول‌های آلی منفرد روی سطوح Si(100)ی ناخالص شده به‌صورت جداگانه و با استفاده از میکروسکوپ تونل زنی اسکن خلأ (STM) اندازه‌گیری شده است. برای مولکول‌های استایرن روی سطوح Si(100)ی نوع n، NDR تنها برای بایاس نمونه منفی مشاهده می‌شود به این دلیل که بایاس نمونه مثبت باعث دفع الکترون‌های شبیه‌سازی‌شده می‌گردد. با جایگزینی استایرن با یک مولکول آلی اشباع شده (2,2,6,6-tetramethyl-1-piperidinyloxy) دفع الکترونی شبیه‌سازی شده در هر دو پلاریته بایاس مشاهده نمی‌شود. در این حالت، NDR تنها برای بایاس نمونه منفی روی Si(100)ی نوع n و برای بایاس نمونه مثبت روی Si(100)ی نوع p مشاهده خواهد شد. این رفتار منحصربه‌فرد مطابق با یک مکانیزم تونل زنی رزونانسی از طریق اوربیتال‌های مولکولی بوده و امکانات جدیدی را در حوزه قطعات الکترونی مولکولی مبتنی بر سیلیکون و مشخصه‌های شیمیایی با STM در سطح تک‌مولکولی فراهم کرده است.